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武汉光电国家研究中心微纳平台流片工艺

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更多 发布于:2018-06-04 11:25


武汉光电国家研究中心-220nm SOI光子器件库


 
1、   无源器件(1)
光子晶体垂直光栅耦合器
taper
Y分支
1*2 MMI
2*2 MMI
微环
光子晶体微腔
2、  无源器件(2)
MZI
PSR偏振转换
波导光栅
AWG
3、   有源器件(1)
加热电极
4、   有源器件(2)
波导耦合的Ge-on-Si 探测器
MZ (MR)P-N 调制器
Ge(Si) 电吸收调制器

武汉光电国家研究中心-Si工艺标准库


光子晶体孔(d=0.5a,a=100,160,220,280,340, 400, 460, 520)、
光子晶体孔(d=0.7a,a=100,160,220,280,340, 400, 460, 520)、
圆柱子阵列(d=0.5a,a=100,160,220,280,340, 400, 460, 520)、
圆柱子阵列(d=0.7a,a=100,160,220,280,340, 400, 460, 520)、
波导(间隔3um,波导宽度50,100,200,300,400,500,600,700,800,1000,1200,1400,1600nm)、(低损耗波导可以分内外/低高两种精度曝光)
光栅、(d=0.5a,a=100,200,300,400,500, 600, 700,800)
光栅、(d=0.7a,a=100,200,300,400,500, 600, 700,800)
狭缝波导、(波导500nm,波导两侧3um间隔,波导之间40,60,90,130,180,240,300)
微环与直波导(波导550nm,微环直径20um,gap 100,140,180,220,260,300)
微环与直波导(波导550nm,微环直径50um,gap 200,240,280,320,360)

平台:220nm SOI
工艺流程:ZEP520A 4000RPM,EBL dose=195uC/cm2,刻蚀深度 ICP 240nm。
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