微纳制造工艺平台--测试加工实际收费标准

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更多发布于：2016-10-28 14:37

设备名称	设备信息	负责人	校内价格（元/小时）	校外价格（元/小时）	设备状态
SEM	蔡司evo-10	张海丽/胡丽婷	150	300	正常
划片机	DS613	曾成	240	300	正常
MJB3光刻机	光刻机	黄光	400	600	正常
电子束蒸发_new	Ohmiker-50B	徐巍（小）	500	700	正常
台阶仪new	DektakXT	张海丽/胡丽婷	200	250	正常
PECVD（等离子增强化学气相沉积系统）	PlasmaPro 800 Stratum，从第二片开始每加一片增加100元	李攀	500	647	正常
荧光光谱测试仪/拉曼	型号：HORIBA Jobin Yvon LabRAM Spectrometer HR 800	张海丽/胡丽婷	300	400	维修中
激光器测试仪	xx	张海丽/胡丽婷	130	169	未上网
电化学剖析仪	型号：dage WAFER PROFILER CVP 21	张海丽/胡丽婷	178	230	正常
清洗间	xx	李攀	60	100	正常
双管合金炉	xx	黄光	300	400	未上网
等离子去胶机_国产_500w	型号：DQ500	李攀	150	210	正常
等离子去胶机_进口_200w	进口	李攀	118	153	正常
RIE_国产	型号:ME-3A	李攀	200	400	正常
快速退火炉	xx	徐巍（小）	100	130	未上网
磁控溅射镀膜机_新	Au厚度 100 nm Cr厚度 50 nm	黄光	400	600	正常
磁控溅射镀膜机_旧	旧磁控	黄光	200	400	正常
纳米压印	xx	黄光	400	600	正常
匀胶机	xx	黄光	400	600	正常
MA6光刻机	xx	黄光	400	600	已下架
MJB4光刻机	xx	黄光	400	600	正常
电子束蒸发	EB-500S	徐巍（小）	300	388	正常
Si-ICP_硅	型号：Plasmalab system 100 ICP 180；用途：主要用于Si材料刻蚀。	李攀	662	857	正常
Ⅲ-Ⅴ-ICP	型号：Plasmalab system 100 ICP 180；用途：主要用于Ⅲ-Ⅴ族化合物工艺材料刻蚀。	李攀	649	841	正常
LPCVD	~	李攀	1067	1381	未上网
GaN基MOCVD	型号：CCS IC6*2	徐巍（大）	800	1200	未上网
AsP基MOCVD	~	徐巍（大）	800	1200	未上网
EBL	Vistec EBPG 5000plus ES	黄庆忠	1000	1400	正常
轮廓仪	型号：Veeco NT-1100 PROFILER	张海丽/胡丽婷	123	159	正常
椭偏仪	型号：SOPRA GES-5E	张海丽/胡丽婷	211	273	维修中
AFM原子力显微镜	型号：Veeco NanoScope MultiMode扫描探针显微镜。提供起伏1微米以下样品的二维和三维形貌分析特征。	张海丽/胡丽婷	233	302	正常
XRD衍射仪	型号：PANalytical PW3040-60 MRD	张海丽/胡丽婷	376	486	正常
台阶仪	型号：KLA TENCOR P16+。提供100微米以下样品的二维和三维形貌分析	张海丽/胡丽婷	200	250	维修中

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