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PECVD调试完毕

楼主#
更多 发布于:2016-08-31 11:36
马上就可以用了,以后生长SiO2、SiNx不用再跑到外面去了。哈哈
沙发#
发布于:2016-09-06 08:58
邵健:
国光PECVD长氮化硅,反应气体中有没有氮气啊?

马向:
气体中有,但不参与反应



一次可以放10片4寸,43片2寸,19片3寸,7片五寸,4片6寸,或者2片8寸


李攀:

可以长氮化硅,二氧化硅,氮氧化硅

申九林:

长氮化硅、二氧化硅用的温度是多少  谢谢

李攀 :

标准工艺都是300℃

一小时多少钱?

暂定500元/h,待批准后执行
板凳#
发布于:2016-09-07 09:40


PECVD正式上线,再也不用跑到外面去了


时间:2016-09-07 08:34:23  来源:  作者:李攀

武汉光电国家实验室光电子微纳制造工艺平台的PECVD设备是进口英国牛津仪器公司Plasmalab 800plus PECVD型号。工艺托盘尺寸为460mm,一次可以放43片2寸,19片3寸,10片4寸,7片五寸,4片6寸,或者2片8寸的硅片。

该设备具有生长SiO2, SiNx, SiON等绝缘层的功能,采用高低频搭配大功率射频源,配备NH3, SiH4, N2O, N2,
CF4/O2等工艺气体,具备尾气燃烧、水洗塔处理系统,适合各种材料基底的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅绝缘层生长。目前已通过工艺调试及验收,正式对外开
放。
收费方式为500元/h,以30分钟为计时单位,第二片开始每片加收100元(校外647元/h,第二片开始每片加收120元)。
  
标准工艺生长的氮化硅,沉积速率为18.5nm/min,折射率1.97;
标准工艺生长的二氧化硅沉积速率为53nm/min,折射率1.46。
地板#
发布于:2016-09-07 10:40
10:18:28
♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:18:28

您好,请问PECVD生长的SiNx内部应力最高可以做到多少?
10:23:34
雨晴 2016/9/7 10:23:34


图片:QQ图片20160907103848.png


 

雨晴 2016/9/7 10:23:52

29.8MPa
10:25:43
♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:25:43

最后那一组不是140MPa吗,另外也可以产生张应力是吗?

雨晴 2016/9/7 10:27:06

是的,括号里面是高低频时间,低频产生压应力,高频产生张应力,调整时间可以改变应力状态
10:28:26
雨晴 2016/9/7 10:28:26

你是需要应力高吗?

♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:28:48

对啊,好像LPCVD做出来的应力比较高

雨晴 2016/9/7 10:29:04

一般只用高频或者低频,应力最高。

雨晴 2016/9/7 10:29:28

但是如果不是硅片做基底,应力太高好像不好吧

雨晴 2016/9/7 10:29:40

容易脱落或者裂开

♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:29:49

那高频低频交错是为了降低应力吗?

雨晴 2016/9/7 10:29:53

是的
10:30:27
♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:30:27

是用硅片做基底,目的就是把应力转移到硅上

雨晴 2016/9/7 10:31:18

硅片就无所谓,怎么做都行。

♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:31:39

哦哦,那PECVD温度最高可以多少呢?
10:34:24
雨晴 2016/9/7 10:34:24

700

雨晴 2016/9/7 10:35:40

一般都不超过400℃吧

♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:35:44

好的,还有一个小问题,长完之后应力可以直接测出来吗,还是需要自己拿出去检测呢?

♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:36:03

我看的也是大概300-400的样子
10:37:24
雨晴 2016/9/7 10:37:24

我们平台台阶仪坏了,修好后台阶仪可以测,先测镀膜前厚度,再测镀膜后曲率,根据杨氏模量换算应力

♂抱☆歉♂ 2016/9/7 10:38:49

哦哦,明白了,十分感谢!麻烦了
游客

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