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微纳制造工艺平台--测试加工实际收费标准

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更多 发布于:2016-10-28 14:37
 
设备名称 设备信息 负责人 校内价格(元/小时) 校外价格(元/小时) 设备状态
SEM 蔡司evo-10 张海丽/胡丽婷 150 300 正常
划片机 DS613 曾成 240 300 正常
MJB3光刻机 光刻机 黄光 400 600 正常
电子束蒸发_new Ohmiker-50B 徐巍(小) 500 700 正常
台阶仪new DektakXT 张海丽/胡丽婷 200 250 正常
PECVD(等离子增强化学气相沉积系统) PlasmaPro 800 Stratum,从第二片开始每加一片增加100元 李攀 500 647 正常
荧光光谱测试仪/拉曼 型号:HORIBA Jobin Yvon LabRAM Spectrometer HR 800 张海丽/胡丽婷 300 400 维修中
激光器测试仪 xx 张海丽/胡丽婷 130 169 未上网
电化学剖析仪 型号:dage WAFER PROFILER CVP 21 张海丽/胡丽婷 178 230 正常
清洗间 xx 李攀 60 100 正常
双管合金炉 xx 黄光 300 400 未上网
等离子去胶机_国产_500w 型号:DQ500 李攀 150 210 正常
等离子去胶机_进口_200w 进口 李攀 118 153 正常
RIE_国产 型号:ME-3A 李攀 200 400 正常
快速退火炉 xx 徐巍(小) 100 130 未上网
磁控溅射镀膜机_新 Au厚度 100 nm Cr厚度 50 nm 黄光 400 600 正常
磁控溅射镀膜机_旧 旧磁控 黄光 200 400 正常
纳米压印 xx 黄光 400 600 正常
匀胶机 xx 黄光 400 600 正常
MA6光刻机 xx 黄光 400 600 已下架
MJB4光刻机 xx 黄光 400 600 正常
电子束蒸发 EB-500S 徐巍(小) 300 388 正常
Si-ICP_硅 型号:Plasmalab system 100 ICP 180;用途:主要用于Si材料刻蚀。 李攀 662 857 正常
Ⅲ-Ⅴ-ICP 型号:Plasmalab system 100 ICP 180;用途:主要用于Ⅲ-Ⅴ族化合物工艺材料刻蚀。 李攀 649 841 正常
LPCVD ~ 李攀 1067 1381 未上网
GaN基MOCVD 型号:CCS IC6*2 徐巍(大) 800 1200 未上网
AsP基MOCVD ~ 徐巍(大) 800 1200 未上网
EBL Vistec EBPG 5000plus ES 黄庆忠 1000 1400 正常
轮廓仪 型号:Veeco NT-1100 PROFILER 张海丽/胡丽婷 123 159 正常
椭偏仪 型号:SOPRA GES-5E 张海丽/胡丽婷 211 273 维修中
AFM原子力显微镜 型号:Veeco NanoScope MultiMode扫描探针显微镜。提供起伏1微米以下样品的二维和三维形貌分析特征。 张海丽/胡丽婷 233 302 正常
XRD衍射仪 型号:PANalytical PW3040-60 MRD 张海丽/胡丽婷 376 486 正常
台阶仪 型号:KLA TENCOR P16+。 提供100微米以下样品的二维和三维形貌分析 张海丽/胡丽婷 200 250 维修中
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